Title: Fabrication and growth of GaN-based micro and nanostructures

Authors: Blandine Alloing; Emmanuel Beraudo; Yvon Cordier; Fabrice Semond; Sylvain Sergent; Olivier Tottereau; P. Vennéguès; Stéphane Vézian; Jesús Zúñiga-Pérez

Addresses: Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Parc de Sophia Antipolis Rue B. Gregory 06560 Valbonne, France. ' Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Parc de Sophia Antipolis Rue B. Gregory 06560 Valbonne, France. ' Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Parc de Sophia Antipolis Rue B. Gregory 06560 Valbonne, France. ' Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Parc de Sophia Antipolis Rue B. Gregory 06560 Valbonne, France. ' Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Parc de Sophia Antipolis Rue B. Gregory 06560 Valbonne, France. ' Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Parc de Sophia Antipolis Rue B. Gregory 06560 Valbonne, France. ' Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Parc de Sophia Antipolis Rue B. Gregory 06560 Valbonne, France. ' Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Parc de Sophia Antipolis Rue B. Gregory 06560 Valbonne, France. ' Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Recherche Scientifique, Parc de Sophia Antipolis Rue B. Gregory 06560 Valbonne, France

Abstract: GaN is considered as the material of choice for electromechanical, electronic and optoelectronic applications in the visible/UV regions of the electromagnetic spectrum. However, the lack of an adapted substrate results in a very large density of defects, in particular dislocations, stacking faults and cracks. Under these circumstances, the growth of nanostructures appears as an appealing means of circumventing the problem. In this paper, we describe the fabrication and characterisation of GaN-based nanostructures – cantilevers, microdiscs, photonic crystals, micro and nanowires – grown by metallorganic vapour phase epitaxy (MOVPE) and molecular beam epitaxy (MBE) and fabricated either by a bottom-up or a top-down approach. The applications envisaged at CRHEA will be examined.

Keywords: resonators; microwires; nanowires; microdiscs; photonic crystals; gallium nitride; nanotechnology; nanostructures; cantilevers.

DOI: 10.1504/IJNT.2012.045345

International Journal of Nanotechnology, 2012 Vol.9 No.3/4/5/6/7, pp.412 - 427

Received: 08 May 2021
Accepted: 12 May 2021

Published online: 05 Feb 2012 *

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